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用www.668866.com商家详细分析石墨烯掺杂技术的三种方法

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发布日期:2019-12-09 作者: 点击:

利用www.668866.com商家对石墨烯掺杂技术的三种方法进行了详细的分析。1.化学气相沉淀法(亦称CVD法)。化学气相沉淀,顾名思义,与化学气体反应,然后产物沉淀在衬底上,以制备所需的物质。在石墨烯掺杂过程中,采用这种方法可以大大提高掺杂效率。由于采用CVD法制备石墨烯薄膜是制备石墨烯薄膜的有效方法之一。但是,如果在制备石墨烯的过程中加入掺杂原子,则石墨烯薄膜的掺杂效率会更高。

让我们举一个例子,制备氮掺杂石墨烯的过程。采用CVD法制备含氮石墨烯时,在专用反应器中用甲烷(CH4)和氨气(NH3)为高温氧化还原反应提供碳源和氮源。气体甲烷与氨气反应生成的C在高温下也是气态的,当遇到基片时,它会很薄地附着在基片表面。由于反应气体中含有N原子,它在反应中也起着重要的作用。

在C原子在衬底上沉淀的过程中,由于N原子的数目不能忽略,它也会与C原子在基片上沉淀,从而使基片上形成的材料是碳原子和碳原子的混合膜,即我们要制备的掺氮石墨烯薄膜。我们可以发现,这种方法效率更高,操作也不太困难。然而,即使设备的技术要求很高,也需要相应的高水平的设备来准确、准确地完成实验,而且成本也相当高。

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2.离子注入法。使用这种方法,只有当你已经准备好了石墨烯薄膜。因为这种方法是基于石墨烯薄膜。该方法操作简单,但需要高能离子注入设备。我们将制备的石墨烯薄膜放入离子注入机,然后利用离子注入机以高能粒子束的形式将杂质原子注入到石墨烯薄膜中。

这种方法的原理不难理解。我们知道晶体表面有缺陷。所谓缺陷是晶体表面的原子排列顺序异常,如空位等。而这样的空位对于掺杂来说是非常重要的,因为我们要在这些空位中安装杂质原子来填补这些空位,从而填补空晶表面,最终达到掺杂的目的。

3.氧化石墨烯掺杂法。www.668866.com商家认为需要用这种方法制备氧化石墨烯薄膜。然而,与石墨烯相比,氧化石墨烯的制备更简单、成本更低,而且制备条件不需要苛刻的高温条件,可以在室温下进行(当然,所制备的氧化石墨烯溶液应在稍高的温度下烘烤成薄膜,但其温度远低于石墨烯的生产温度)。当有石墨烯氧化物膜(我们仍然以氮掺杂的石墨烯为例),薄膜和一些含氮化合物,如尿素或三聚氰胺,可以放入相应的反应器进行高温反应。


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